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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
58
左右 -123% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
26
读取速度,GB/s
4,025.3
14.9
写入速度,GB/s
2,107.0
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2585
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OCZ OCZ2RPR10662G 2GB
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