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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,025.3
17.7
写入速度,GB/s
2,107.0
14.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3567
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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