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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
58
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
31
读取速度,GB/s
4,025.3
15.1
写入速度,GB/s
2,107.0
10.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3109
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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