RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
51
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
21
读取速度,GB/s
15.6
18.6
写入速度,GB/s
11.8
14.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3356
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link