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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.8
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
29
读取速度,GB/s
15.8
16.8
写入速度,GB/s
11.8
12.6
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2711
3246
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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