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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
8.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
13.9
8.8
写入速度,GB/s
8.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2083
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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