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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
17.7
写入速度,GB/s
8.6
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2818
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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