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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
16.3
写入速度,GB/s
8.6
12.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2761
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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