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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
11.7
16.2
写入速度,GB/s
8.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
2706
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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