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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.3
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3397
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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