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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
17.8
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3593
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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