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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
17.4
写入速度,GB/s
8.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3340
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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