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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.4
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3302
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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