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PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3309
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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