RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
15.6
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2900
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link