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PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.8
21.3
写入速度,GB/s
8.4
16.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3610
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
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