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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
21
读取速度,GB/s
16.7
17.6
写入速度,GB/s
10.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2994
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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