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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
16.7
14.4
写入速度,GB/s
10.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2490
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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