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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
16.7
17.7
写入速度,GB/s
10.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2853
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
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