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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
106
左右 -266% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
29
读取速度,GB/s
3,273.7
18.3
写入速度,GB/s
2,069.2
13.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3336
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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