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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
11.4
18.1
写入速度,GB/s
7.7
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3061
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
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