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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
70
左右 64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
70
读取速度,GB/s
16.1
15.8
写入速度,GB/s
10.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1946
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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