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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
15.5
写入速度,GB/s
10.1
11.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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