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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
16.1
16.0
写入速度,GB/s
10.1
12.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3127
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
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