Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

总分
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 43
    左右 -43% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18.1 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.2 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    43 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    14.9 left arrow 18.1
  • 写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 14.2
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2506 left arrow 3550
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较