RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
14.9
20.7
写入速度,GB/s
9.6
16.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3768
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link