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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
43
读取速度,GB/s
14.9
12.8
写入速度,GB/s
9.6
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3050
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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