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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
14.9
9.1
写入速度,GB/s
9.6
7.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2046
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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