RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
14.9
17.1
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2833
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link