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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
56
左右 23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
56
读取速度,GB/s
14.9
18.7
写入速度,GB/s
9.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2235
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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