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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,833.8
15.2
写入速度,GB/s
2,123.3
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2655
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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