Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,123.3 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    32 left arrow 59
    左右 -84% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    59 left arrow 32
  • 读取速度,GB/s
    4,833.8 left arrow 14.1
  • 写入速度,GB/s
    2,123.3 left arrow 13.9
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow no data
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2918
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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