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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,833.8
19.7
写入速度,GB/s
2,123.3
15.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3614
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
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