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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
17.5
写入速度,GB/s
2,123.3
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3806
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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