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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,833.8
12.9
写入速度,GB/s
2,123.3
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2690
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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