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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
20.2
写入速度,GB/s
2,123.3
17.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
4014
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
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