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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965596-036.B00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,833.8
12.4
写入速度,GB/s
2,123.3
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2653
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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