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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
69
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
55
读取速度,GB/s
4,217.2
16.4
写入速度,GB/s
1,857.7
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2612
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
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