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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
96
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
96
读取速度,GB/s
4,217.2
10.5
写入速度,GB/s
1,857.7
5.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1211
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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