RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
69
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
44
读取速度,GB/s
4,217.2
14.9
写入速度,GB/s
1,857.7
11.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2191
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link