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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965589-043.E00G 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,241.0
10.1
写入速度,GB/s
1,950.7
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
2265
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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