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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
58
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
21
读取速度,GB/s
4,241.0
19.1
写入速度,GB/s
1,950.7
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3427
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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