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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 -115% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
27
读取速度,GB/s
4,241.0
12.3
写入速度,GB/s
1,950.7
6.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
1732
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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