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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
2,909.8
17.9
写入速度,GB/s
1,519.2
14.0
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3391
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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