RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
64
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
64
读取速度,GB/s
2,909.8
16.1
写入速度,GB/s
1,519.2
8.2
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2037
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link