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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
2,909.8
15.3
写入速度,GB/s
1,519.2
7.0
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2276
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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