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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
2,909.8
16.1
写入速度,GB/s
1,519.2
11.5
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3098
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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