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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
60
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
35
读取速度,GB/s
4,595.2
15.1
写入速度,GB/s
2,168.2
14.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3245
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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