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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
60
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
31
读取速度,GB/s
4,595.2
16.0
写入速度,GB/s
2,168.2
12.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
3289
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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