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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
65
左右 -195% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
22
读取速度,GB/s
4,806.8
17.6
写入速度,GB/s
2,784.6
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3179
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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